在STC单片机中，连续编程EEPROM的过程可以总结如下：
读取扇区数据到RAM
在写入新的字节之前，需要将目标字节所在扇区的其他有效数据读取到RAM中暂存。这一步骤不是必须的，但有助于保护数据完整性。
擦除扇区
擦除整个扇区，使得该扇区内的所有数据都变成0xFF。这是必要的步骤，因为STC单片机的EEPROM只能将1变成0，不能直接写入0。
写入数据
将需要写入的N个字节数据，使用字节写函数逐个写入EEPROM。注意，写入过程中只能将1变成0，不能将0变成1。
恢复RAM中的数据
将之前暂存到RAM中的其他有用数据，使用字节写函数写回EEPROM。这样可以确保数据的一致性。
示例代码
```c
include
define EEPROM_ADDR_START 0x2000
define EEPROM_ADDR_END 0x2100
define BUFFER_SIZE 512
void EEPROM_Write（unsigned char *data, unsigned int addr, unsigned int size） {
unsigned char temp[BUFFER_SIZE]；
unsigned int i, j；
// 读取目标扇区数据到RAM
for （i = 0； i < size； i++） {
temp[i] = EEPROM_Read（addr + i）；
}
// 擦除目标扇区
EEPROM_Erase（addr, size）；
// 写入新数据
for （i = 0； i < size； i++） {
EEPROM_Write（data + i, addr + i, 1）；
}
// 将RAM中的数据写回EEPROM
for （i = 0； i < size； i++） {
EEPROM_Write（temp + i, addr + i, 1）；
}
}
void EEPROM_Erase（unsigned int addr, unsigned int size） {
unsigned int i；
for （i = 0； i < size； i += 256） {
EEPROM_Write（0xFF, addr + i, 256）；
}
}
unsigned char EEPROM_Read（unsigned int addr） {
unsigned char data；
// 这里省略了具体的读取函数实现
return data；
}
void main（） {
unsigned char data[] = {0x11, 0x22, 0x33, 0x44, 0x55, 0x66}；
unsigned int size = sizeof（data）；
// 从EEPROM的起始地址开始写入数据
EEPROM_Write（data, EEPROM_ADDR_START, size）；
}
```
注意事项
擦除扇区操作会清除整个扇区，因此在进行连续编程前请确保不会丢失重要数据。
写入数据时，务必按照顺序逐个写入，避免数据不一致。
读取和写入操作应尽量快速完成，以减少EEPROM的磨损。
通过以上步骤和示例代码，可以在STC单片机中实现EEPROM的连续编程。